TSC (Taiwan Semiconductor)
DIODE GEN PURP 3A DO214AB (HS3M V6G)
Part Number: HS3M V6G
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): -
- Прямой ток (If) (Max): 3A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: -
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 75ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 10µA @ 1000V
- Емкость @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: DO-214AB, SMC
- Исполнение корпуса: DO-214AB (SMC)
- Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 150°C
Цена по запросу